Infineon英飞凌_IMBF170R650M1_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IMBF170R650M1 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

针对反激式拓扑结构进行了优化
极低的开关损耗
12 V / 0 V 栅源电压
与反激式控制器兼容
完全可控的 dV/dt
SMD 封装
爬电距离增强，> 7 毫米
电气间隙，> 7 毫米

应用

Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, DIN 导轨电源解决方案, 工业电机驱动和控制, 通用电机驱动器, 轨交, 光伏, 开关模式电源（SMPS）

参数

类型	描述
Ciss	422 pF
Coss	12 pF
最高 ID (@25°C)	7.4 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	88 W
Qgd	3.3 nC
QG	8 nC
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	650 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	1.1 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	1700 V
安装	SMD
封装	TO-263-7
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	7 Pins
技术	CoolSiC™ G1
极性	N
认证标准	Industrial

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IMBF170R650M1

CoolSiC ™ 1700 V、650 mΩ SiC MOSFET 采用 TO-263-7 高爬电距离封装，针对反激式拓扑进行了优化，可用于连接到 600 V 至 1000 V 直流链路电压的辅助电源，适用于众多电源应用。

特性

应用

参数

4000-306-326