Infineon英飞凌_IMZ120R030M1H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IMZ120R030M1H 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

同类最佳的开关损耗
同类最佳的传导损耗
基准高阈值电压
Vth > 4 V
0V 关断栅极电压，方便
简单的栅极驱动
宽栅极 - 源极电压范围
坚固耐用且低损耗的体二极管
适用于硬换向
温度。印第安纳州关断开关损耗
驱动器源极引脚
优化的开关性能

应用

电动汽车充电, DIN 导轨电源解决方案, 氢电解, 光伏, 家居和楼宇自动化, 不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
Ciss	2120 pF
Coss	116 pF
最高 ID (@25°C)	56 A
最高 Ptot (@25°C)	227 W
Qgd	15 nC
QG (typ @18V)	63 nC
RDS (on) (@18V)	30 mΩ
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	30 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	0.66 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	1200 V
安装	THT
封装	TO-247-4
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	4 Pins
技术	CoolSiC™ G1
极性	N
认证标准	Industrial

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IMZ120R030M1H

特性

应用

参数

4000-306-326