Infineon英飞凌_BSZ180P03NS3E G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSZ180P03NS3E G 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

增强模式
正常、逻辑或超逻辑电平
雪崩额定
无铅镀铅；符合 RoHS 标准

参数

类型	描述
Ciss	1480 pF
Coss	744 pF
最高 ID (@25°C)	39.6 A
最高 IDpuls	-158 A
最高 Ptot	40 W
QG (typ @10V)	20 nC
最高 RDS (on) (@10V)	18 mΩ
Rth	3.1 K/W
最高 VDS	-30 V
VGS(th)	-2.5 V
封装	PQFN 3.3 x 3.3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
极性	P
预算价格€/1k	0.2

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BSZ180P03NS3E G

英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

参数

4000-306-326