Infineon英飞凌 IRFR5305 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 符合 RoHS 规定
- 低 RDS(on)
- 行业领先的品质
- 动态 dv/dt
- 额定值 快速切换
- 完全符合雪崩等级
- 工作温度 175°C
- P沟道MOSFET
应用
消费类电子产品, 轨交, 家居和楼宇自动化
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | -31 A |
最高 Ptot | 89 W |
Qgd | 19.3 nC |
QG (typ @10V) | 42 nC |
最高 RDS (on) (typ @10V) | 65 mΩ |
最高 RthJC | 1.4 K/W |
最高 Tj | 175 °C |
最高 VDS | -55 V |
VGS(th) 范围 | -2 V 至 -4 V |
VGS(th) | -3 V |
最高 VGS | 20 V |
安装 | SMD |
封装 | DPAK (TO-252) |
极性 | P |
湿度敏感等级 | 1 |
预算价格€/1k | 0.25, 0.29 |



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