Infineon英飞凌_BSR202N_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSR202N 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

低 RDS(on)，效率高
小型封装节省 PCB 空间
一流的质量和可靠性

特性

增强模式
超级逻辑电平
雪崩额定值
快速开关
dv/dt 额定值

无铅镀铅

符合 RoHS 标准，无卤素

符合汽车标准

可进行 PPAP

参数

类型	描述
Ciss	863 pF
Coss	278 pF
最高 ID (@25°C)	3.8 A
最高 IDpuls	15.2 A
最高 Ptot	0.5 mW
最高 QG (typ @4.5V)	5.8 nC
最高 RDS (on) (@4.5V)	21 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	21 mΩ
最高 RDS (on) (@2.5V)	33 mΩ
最高 RDS (on)	21 mΩ
最高 RthJA	250 K/W
最高 VDS	20 V
VGS(th) 范围	0.7 V 至 1.2 V
封装	SC59
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
极性	N
特殊功能	Small Signal
预算价格€/1k	0.13

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