h1_key

类型

描述

EAS/雪崩能量

550 mJ

EAS (Energy capability)

550 mJ

最低 ID(lim)

1 A

ID

0.7 A

最低 IL(LIM)

1 A

IL(nom)

0.7 A

IL (Short Circuit Current)

1 A

最高 Ptot

1.8 W

RDS (on) (@ Tj = 25°C)

490 mΩ

最高 RDS (on) (@ Tj = 150°C)

1350 mΩ

最高 toff (Turn OFF time)

20 µs

最高 ton (Turn ON time)

20 µs

最高 VDS

60 V

保护策略

Auto-restart

分类

n.a

安装

SMT

工作温度 范围

-40 °C 至 150 °C

控制接口

Discrete

最高 推荐工作电压

60 V

每个通道的额定负载电流

0.7 A

特性

24V COMPATIBLE

目前计划的可用性至少到

n.a

系列

Classic HITFET™

诊断

n.a

负载电流

0.7 A

通道数

1