Infineon英飞凌_BAR81W_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BAR81W 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

针对使用 λ/4 传输线的短路开路变换进行了优化
由于设计原因，寄生电感的影响减小
正向电流 IF = 1 mA 和频率 f = 1 GHz 时，高分流信号隔离 ISO = 27 dB（典型值）
电压 VR = 0 V 和频率 f = 1 GHz 时，低分流插入损耗 IL = 0.17 dB（典型值）
电荷载流子寿命 τ = 80 ns（典型值）
行业标准 SOT343 封装（2.0 mm x 2.1 mm x 0.9 mm）
无铅、符合 RoHS 且无卤素

参数

类型	描述
C @VR=0V	0.61 pF
最高 IF	100 mA
RF	0.58 Ω
trr	80 ns
最高 VR	30 V
配置	Single shunt diode

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BAR81W

这款英飞凌成本优化的射频 PIN 二极管专为高性能开关而设计。其分流配置可减少寄生电感，最适合高速开关应用。

特性

参数

4000-306-326