Infineon英飞凌_BFP640FESD_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFP640FESD 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

基于英飞凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圆技术的坚固耐用的高性能低噪声放大器
由于集成了保护电路，因此具有 2 kV ESD 抗扰度 (HBM)
最大射频输入功率高达 21 dBm
1.5 GHz 时最小噪声系数典型值为 0.6 dB，2.4 GHz 时为 0.65 dB，6 mA
1.5 GHz 时最大增益 Gms 典型值为 28.5 dB，2.4 GHz 时为 25 dB，30 mA
2.4 GHz 时 OIP3 典型值为 26 dBm，30 mA
提供精确的 SPICE GP 模型，可实现高效的在制品设计（参见第 6 章）
薄、小、扁平、无铅、无卤素（符合 RoHS 标准）封装，引脚可见

参数

类型	描述
fT	46 GHz
Gmax	29.50 dB @900 MHz
最高 IC	50 mA
NFmin	0.55 dB @900 MHz
OIP3	26 dBm
OP1dB	11.5 dBm
Ptot	200 mW
最高 VCEO	4.1 V
封装	TSFP-4

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BFP640FESD

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