Infineon英飞凌_BFP740FESD_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BFP740FESD 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

高端 RF 性能与稳健性的独特组合：21 dBm 最大 RF 输入功率，集成保护电路带来 2 kV ESD 稳健性 (HBM)
NFmin = 0.6 dB (2.4 GHz 时) 和 0.8 dB (5.5 GHz 时)，3V，6 mA
高增益 Gms = 26 dB (2.4 GHz 时) 和 Gma = 20.5 dB (5.5 GHz 时)，3V，25 mA
OIP3 = 23.5 dBm (5.5 GHz 时)，25 mA
薄型小尺寸无引线封装

参数

类型	描述
fT	47 GHz
Gmax	29.50 dB @900 MHz
最高 IC	45 mA
NFmin	0.55 dB @900 MHz
OIP3 (@900 MHz)	24 dBm
OP1dB (@900 MHz)	10 dBm
Ptot	160 mW
最高 VCEO	4.2 V
封装	TSFP-4

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BFP740FESD

BFP740FESD 是一款硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能

特性

参数

4000-306-326