Infineon英飞凌_BCR573_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BCR573 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

内置偏置电阻 (R1= 1 kΩ, R2= 10 kΩ)
无铅（符合 RoHS 标准）封装
符合 AEC Q101 标准

参数

类型	描述
fT	150 MHz
最低 hFE	70
最高 ICBO	100 nA
最高 Ptot	330 mW
R1 / R2	0.1
R1	1 kΩ
R2	10 kΩ
最高 VCBO	50 V
最高 VCE(sat)	0.3 V
最高 VCEO	50 V
最高 VEBO	5 V
最高 Vi (off)	1 100µA / 5V
最高 Vi (on)	0.7 V
最低 Vi (on)	0.7 2mA / 0.3V
安装	SMT
极性	PNP (Single)

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BCR573

PNP硅数字晶体管

特性

参数

4000-306-326