Infineon英飞凌_BCR133S_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BCR133S 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路
内置偏置电阻 (R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ)
BCR133S：两个内部隔离的晶体管，在一个多芯片封装中具有良好的匹配性
BCR133S：有关卷轴中的方向，请参见下面的封装信息
无铅（符合 RoHS 标准）封装¹⁾
符合 AEC Q101 要求¹⁾ 1可根据特殊要求提供含铅封装

参数

类型	描述
fT	130 MHz
最低 hFE	30
最高 ICBO	100 nA
最高 Ptot	250 mW
R1 / R2	1
R1	10 kΩ
R2	10 kΩ
最高 VCBO	50 V
最高 VCE(sat)	0.3 V
最高 VCEO	50 V
最高 VEBO	10 V
最高 Vi (off)	1.5 100µA / 5V
最高 Vi (on)	2.5 V
最低 Vi (on)	1 2mA / 0.3V
安装	SMT
极性	NPN (Dual)

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BCR133S

NPN硅数字晶体管

特性

参数

4000-306-326