Infineon英飞凌_BCR119S_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BCR119S 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路
内置电阻器 (R1=4.7 kΩ)
BCR119S：两个内部隔离的晶体管，在一个多芯片封装中具有良好的匹配性
BCR119S：有关卷轴方向，请参见下面的封装信息
无铅（符合 RoHS 标准）封装¹⁾
符合 AEC Q101 要求¹⁾ 1可根据特殊要求提供含铅封装

参数

类型	描述
fT	150 MHz
hFE 范围	120 至 630
最高 ICBO	100 nA
最高 Ptot	250 mW
R1	4.7 kΩ
最高 VCBO	50 V
最高 VCE(sat)	0.3 V
最高 VCEO	50 V
最高 VEBO	5 V
最高 Vi (off)	0.8 100µA / 5V
最高 Vi (on)	0.8 V
最低 Vi (on)	0.5 2mA / 0.3V
安装	SMT
极性	NPN (Dual)

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BCR119S

NPN硅数字晶体管

特性

参数

4000-306-326