Infineon英飞凌_BCR35PN_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BCR35PN 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路
单个封装内含两个（电流）内部隔离的 NPN/PNP 晶体管
内置偏置电阻 NPN 和 PNP（R1=10 kΩ，R2=47 kΩ）
无铅（符合 ROHS 标准）封装
符合 AEC Q101 要求

参数

类型	描述
fT	150 MHz
最低 hFE	70
最高 ICBO	100 nA
最高 Ptot	250 mW
R1 / R2	0.21
R1	10 kΩ
R2	47 kΩ
最高 VCBO	50 V
最高 VCE(sat)	0.3 V
最高 VCEO	50 V
最高 VEBO	6 V
最高 Vi (off)	1 100µA / 5V
最高 Vi (on)	1 V
最低 Vi (on)	0.5 2mA / 0.3V
安装	SMT
极性	NPN/PNP (Dual)

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BCR35PN

NPN/PNP硅数字晶体管阵列

特性

参数

4000-306-326