h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>Infineon英飞凌 TLT9251VLE 产品介绍

TLT9251VLE

现货,推荐

它旨在满足以下标准的要求:ISO11898-2(2016)物理层规范SAE J1939SAE J2284TLT9251VLE 提供总线唤醒功能,并支持使用 Vio 接口的 3.3 V 和 5V 供电微控制器。TLT9251VLE 采用微型无引线 TSON-8 封装,具有引线尖端检测 (LTI) 功能,可提供自动光学检测,并可用于汽车和工业应用。

Infineon英飞凌 TLT9251VLE 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • ISO11898-2 (2016) 和 SAE J2284-4/-5
  • 英飞凌汽车级质量
  • AEC-Q100 0 级(温度:-40°C 至 +150°C)
  • 保证环路延迟对称性
  • 极低的电磁辐射 (EME)
  • VI/O 3.3V 和 5V 适配 µC 接口
  • 低功耗待机模式
  • VCC 待机模式关闭
  • RxD 输出上的唤醒指示
  • EMI 抗扰度:宽 CM 范围
  • ESD 耐受性:+/-8kV (HBM)、+/-11kV (IEC)

参数


类型

描述

产品类别

Transceivers

最高 传输速率

5 MBit/s

供电电压

3.3 V, 5 V

唤醒输入

Bus Wake-up

基本产品

TLT9252x

总线唤醒功能

Yes

标准

ISO11898-2

特性

Vio, WK, AEC-Q100 Grade 0

目前计划的可用性至少到

2039

类型

CAN FD

系列

CAN Transceiver

认证标准

Automotive

语言

IBIS

附加功能

WK, Vio, AEC-Q100 Grade 0

静态电流

< 15 µA at 5 V stand by

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 274次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 326次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 302次
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部