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TLE7250G

介绍 TLE7250G,一种驱动信号至 CAN 总线并保护微控制器免受网络干扰的接口。它具有低电磁辐射、符合 ISO 11898-2 标准、出色的被动行为以及用于 ESD 和电磁免疫的英飞凌智能电源技术 SPT。符合 AEC 标准并针对汽车环境量身定制,它是具有高数据传输速率的大型 CAN 网络的理想选择。

Infineon英飞凌 TLE7250G 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 完全符合 ISO 11898-2 标准
  • 宽共模范围,可有效抑制电磁干扰 (EMI)
  • 极低的电磁辐射 (EME)
  • 卓越的 ESD
  • 抗扰度
  • CAN 总线对地、电池和 V CC
  • TxD 超时功能 掉电状态下 CAN 总线漏电流低
  • 过温保护 汽车瞬变保护
  • CAN 数据传输速率高达 1 Mbps
  • 绿色产品(符合 RoHS 标准)
  • 符合 AEC 认证

参数


类型

描述

产品类别

Transceivers

最高 传输速率

1 MBit/s

供电电压

5 V

唤醒输入

None

基本产品

CAN Classic

总线唤醒功能

No

标准

ISO11898-2

特性

NEN, Receive Only Mode

类型

CAN

系列

Classical CAN 1MBit/s

认证标准

Automotive

附加功能

NRM, NEN

静态电流

< 15 µA at 5 V standby

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
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    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 330次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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