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CYW20706

在产

AIROC™ CYW20706 Bluetooth® & Bluetooth® LE SoC 是一款符合Bluetooth® 5.4 核心规范的器件,适用于物联网应用。采用业界先进的 40 纳米 CMOS 低功耗工艺制造,CYW20706 通过高度集成化设计最大限度地减少了外部元件需求,不仅缩小了设备尺寸,还显著降低了 Bluetooth® 解决方案的整体实施成本。

Infineon英飞凌 CYW20706 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 支持 BR、EDR 和蓝牙® LE
  • 支持 EEPROM 和串行闪存

特性


  • Arm ® Cortex ® -M3 32 位 RISC 处理器
  • 嵌入式 ICE-RT 调试
  • SWD 接口单元
  • 352 KB 片上 RAM
  • 蓝牙®核心规范 5.2
  • 集成低压差稳压器 (LDO)
  • LE 数据速率高达 2 Mbps
  • 最多 24 个 GPIO
  • I²C、I²S、UART 和 PCM 接口

应用


家庭娱乐应用的半导体解决方案, 健康和 生活方式

参数


类型

描述

15年的寿命

Yes

CPU 频率

48 MHz

CPU

Arm® Cortex®- M3

GPIO

24

RAM

352 kByte

ROM

848 kByte

使用寿命-延长

No

发布日期

2025

合作伙伴模块

Y

工作温度 范围

-30 °C 至 85 °C

工作电压 范围

1.62 V 至 3.6 V, 2.25 V 至 2.94 V

目前计划的可用性至少到

31-12-2030

系列

AIROC™ Bluetooth LE & Bluetooth

蓝牙EDR 2MBPS RX SENSITIVITY

-95.5 dBm

蓝牙LE RX SENSITIVITY

-96.5 dBm

蓝牙LE TX POWER

9 dBm

蓝牙LE

Yes

蓝牙经典

Yes

蓝牙规格

5.4

软件支持

ModusToolbox™

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 330次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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