Infineon英飞凌_BGS12P2L6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BGS12P2L6 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

RF CMOS SPDT 射频开关，功率处理能力高达 37 dBm
适用于多模 LTE 和 5G 应用
低插入损耗和谐波产生
0.05 至 6 GHz 覆盖范围
高端口间隔离
如果射频线路上未施加直流电，则无需隔直电容
片上控制逻辑
无铅无卤素封装 TSLP-6-4
尺寸：0.7 x 1.1 mm2，厚度为 0.31 mm
无需电源去耦
高 EMI 稳健性
符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

应用

消费类电子产品, 移动设备和智能手机解决方案, 消费类可穿戴设备

参数

类型	描述
最高 Pmax	38 dBm
供电电压	1.65 - 3.4 V
开关器件类型	SPDT
控制接口	GPIO
插入损耗 (@1GHz)	0.25 dB
隔离 (@1GHz)	45 dB
频率范围	0.05 - 6.0 GHz

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BGS12P2L6

特性

应用

参数

4000-306-326