h1_key

特性

• 最高射频功率：38 dBm
• 两个超低损耗端口（RF1 和 RF3）：
• 0.19 dB @ f=0.9 GHz，PIN=38dBm
• 0.29 dB @ f=1.9 GHz，PIN=38dBm
• 0.51 dB @ f=2.7 GHz，PIN=33dBm
• 1.20 dB @ f=3.8 GHz，PIN=33dBm
• 1.90 dB @ f=5.8 GHz，PIN=33dBm
• 两个低损耗端口（RF2 和 RF4）：
• 0.32 dB @ f=0.9
• GHz，PIN=38dBm 0.40 dB @ f=1.9 GHz， PIN=38dBm
• 0.64 dB @ f=2.7 GHz, PIN=33dBm
• 1.19 dB @ f=3.8 GHz, PIN=33dBm
• 1.78 dB @ f=5.8 GHz, PIN=33dBm
• 如果未在 RF
• 端口上施加外部直流电，则无需直流去耦元件
• 高 ESD 稳健性
• 低谐波产生
• 高线性度
• RF1/RF3 72 dBm IIP3
• RF2/RF4 74 dBm IIP3
• 无需电源阻断
• 电源电压范围：1.8 至 3.6V
• 电源电压范围内无插入损耗变化
• 电源电压范围内线性度无变化范围
• 0.5 至 6.0 GHz
• 覆盖范围 小尺寸 1.1 mm x 1.5 mm
• 400 µm 焊盘间距
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

参数