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BGS12PN10 是单刀双掷 (SPDT) 高线性度、高功率射频开关针对高达 6.0 GHz 的移动电话应用进行了优化。该单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑，由简单的 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，0.1 dB 压缩点超出了开关最大输入功率水平，从而导致 所有信号电平均具有线性性能，并且仅当外部施加直流电压时才需要射频端口上的外部直流阻断电容器。 BGS12PN10 可实现 UL（B1 + B3）、（B2 + B4）、DL-CA（B4 + B12）和 SV-LTE（B5 + B13）的关键频段组合。该设备可处理高达 38 dBm 的极高发射信号电平，同时表现出低损耗以节省电池电量。超高线性度器件对 系统灵敏度。例如，整个射频前端的线性度增加 3 dBm，可实现 6 dB 更好的信噪比。因此， 数据速率提高了 40%，例如从 20 Mbps（QAM16 4/5）提高到 33 Mbps（QAM64 4/5）。BGS12PN10 代表 一流的 ISO 和 IL 所有频率下的性能。