Infineon英飞凌_IGC037S12S1_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IGC037S12S1 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

一流的功率密度
最高效率
改进热管理
实现更小、更轻的设计
卓越的可靠性
降低 BOM 成本

特性

120 V e 模式功率晶体管
双面冷却封装
无反向恢复电荷
反向传导能力
低栅极电荷，低输出电荷
符合 JEDEC 标准

应用

电源适配器和充电器, 适用于电信基础设施的 DC-DC 电源转换

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	71 A
最高 IDpuls (@25°C)	270 A
QG	10 nC
RDS (on) (typ)	2.7 mΩ
最高 VDS	120 V
封装	PQFN
环保认证	RoHS compliant, Halogen free
目前计划的可用性至少到	2035
系列	CoolGaN™ Transistor 120 V G3
认证标准	Industrial

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IGC037S12S1

IGC037S12S1

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