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Infineon英飞凌 GS66508T-TR 产品介绍
2026-04-14
0次
产品详情
- 提高系统效率
- 提高功率密度
- 减轻系统重量
- 实现更高的工作频率
- 降低系统成本
特性
- E 模式 HEMT – 常关
- 超快开关
- 无反向恢复电荷
- 能够反向传导
- 低栅极电荷、低输出电荷
- 卓越的换向耐用性
- 符合 JEDEC 标准（JESD47、JESD22）
- 顶部冷却
- 零反向恢复损耗
- 快速、可控的下降和上升时间
- 符合 RoHS 3(6+4) 要求
应用
电动汽车充电, 数据中心及 AI 数据中心解决方案, 电信基础设施, 开关模式电源（SMPS）, 不间断电源 (UPS)
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 30 A |
最高 IDpuls (@25°C) | 60 A |
QG | 6.1 nC |
RDS (on) (typ) | 50 mΩ |
最高 RDS (on) | 63 mΩ |
最高 VDS | 650 V |
封装 | GaNPX |
环保认证 | RoHS compliant, Halogen free |
认证标准 | Industrial |
