Infineon英飞凌_1EBN1001AE_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 1EBN1001AE 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

支持主动短路计划
在系统上以成本效益的方式实施 ASIL C/D
显著节省 PCB 面积

特性

单通道。IGBT / MOSFET 栅极驱动器
IGBT 等级 650 V /800A 和 1200 V / 400A
低传播延迟
独立的开启/关闭信号路径
支持负关闭偏置
14 引脚 PG-DSO-14 裸露绿色封装

应用

电动汽车牵引逆变器, 燃料电池控制单元 (FCCU), 电动汽车充电

参数

类型	描述
关断传播延迟	10 ns
封装	PG-DSO-14
开通传播延迟	10 ns
电压等级	40 V
系列	EiceDRIVER™ isolated gate driver ICs for EV
认证标准	Automotive
最高输入Vcc	28 V
通道数	1
配置	High-side
隔离类型	Non-isolated
预算价格€/1k	1.43

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1EBN1001AE

IGBT/MOSFET 栅极驱动器升压器，适用于 10 kW 以上的汽车电机驱动，峰值电流高达 ±15 A，支持具有极快反应时间的有源钳位、有源钳位禁用和 ASC 输入信号

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326