Infineon英飞凌_IRF7389_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF7389 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

符合 RoHS 规定
低 RDS(on)
动态 dv/dt 额定值
快速切换
双 N 和 P 沟道 MOSFET

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	-5.3 A, 7.3 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2.5 W
Qgd (typ)	6.4 nC, 5.9 nC
QG (typ @10V)	23 nC, 22 nC
最高 RDS (on) (@10V)	29 mΩ, 58 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	46 mΩ, 98 mΩ
最高 RthJA	50 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	-30 V, 30 V
最低 VGS(th)	1 V, -1 V
最高 VGS	20 V
封装	SO-8
极性	N+P
湿度敏感等级	1
预算价格€/1k	0.28

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