Infineon英飞凌_IPD046N08N5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPD046N08N5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最高系统效率
降低开关和传导损耗
减少并联需求
提高功率密度
低电压过冲

特性

针对同步整流进行了优化
非常适合高开关频率
电容性能提高高达 44%
与上一代产品相比，Rds(on) 降低 43%

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	90 A
最高 IDpuls	360 A
最高 Ptot	125 W
Qgd	9 nC
QG (typ @10V)	42 nC
最高 RDS (on) (@10V)	4.6 mΩ
最高 RthJA	75 K/W
最高 RthJC	1.2 K/W
Rth	0.7 K/W
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.8 V
VGS(th)	3 V
安装	SMD
封装	DPAK (TO-252)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	3 Pins
极性	N
预算价格€/1k	0.86

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IPD046N08N5

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