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Infineon英飞凌 IMT65R040M2H 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 节省物料清单 (BOM)
- 最大化单位成本的系统性能
- 最高可靠性和更长的使用寿命
- 实现最高效率和功率密度
- 占用空间小，功率密度更高
- 最紧凑的子卡设计
- 充分利用小尺寸 SiC
特性
- 优异的品质因数 (FOM)
- 同类最佳的 RDS(on)
- 出色的稳健性
- 灵活的驱动电压范围
- 与所有 8x8 FET 引脚兼容
- 改进了与 .XT 的封装互连
- Tj,max=175°C
- TCoB 中 12k 周期
应用
适用于智能电视的完整系统解决方案, Battery energy storage (BESS), 微型逆变器解决方案, 暖通空调（HVAC）, 开关模式电源（SMPS）
参数
类型 | 描述 |
最高 ID (@25°C) | 58.7 A |
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 49 mΩ |
RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 40 mΩ |
最高 RthJC | 0.54 K/W |
最高 VDS | 650 V |
安装 | SMT |
封装 | TOLL |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | CoolSiC™ G2 |
极性 | N |
认证标准 | Industrial |
