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IMLT65R050M2H

现货,推荐

TOLT 中的 CoolSiC ™ MOSFET 分立 650 V G2 利用 CoolSiC ™第二代一流的开关性能,此外还具备顶部冷却的所有优点。现在可以补充 CoolSiC ™和 CoolMOS ™中已有的 QDPAK,以实现完全分立的顶部冷却解决方案,从而获得更好的热性能、系统成本降低和简化以及更便宜的组装。

Infineon英飞凌 IMLT65R050M2H 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 节省 BOM 成本
  • 最大化单位成本的系统性能
  • 最高可靠性
  • 实现最高效率和功率密度
  • 简化组装和冷却
  • 水冷“就绪”
  • 允许无风扇或散热器的设计
  • 更低的杂散电感
  • 更好的门控

特性


  • 优异的品质因数 (FOM)
  • 高稳健性和整体质量
  • 灵活的驱动电压范围
  • 支持单极驱动(VGS(off)=0)
  • 更低的热阻
  • 改进了与 .XT 的封装互连
  • 顶部冷却

应用


Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, Solid-state circuit breaker (SSCB), 单相串联逆变器解决方案, 微型逆变器解决方案, 开关模式电源(SMPS)

参数


类型

描述

最高 ID (@25°C)

47 A

最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)

62 mΩ

RDS (on) (@ Tj = 25°C)

50 mΩ

最高 RthJC

0.66 K/W

最高 VDS

650 V

安装

SMT

封装

TOLT

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

技术

CoolSiC™ G2

极性

N

认证标准

Industrial

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