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TLE6217G

该器件受嵌入式保护功能的保护,专为汽车和工业应用而设计。 每个通道都有自己的状态信号用于诊断反馈。因此,TLE 6217 GP 特别适合 ABS 或动力传动系统。

Infineon英飞凌 TLE6217G 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 短路保护
  • 过热保护
  • 过压保护
  • 输入并行控制(PWM 应用)
  • 每个通道均有单独的诊断引脚
  • 电源 - SO 20 - 封装,集成冷却区域
  • 待机模式,电流消耗低
  • μC 兼容输入
  • 静电放电 (ESD) 保护
  • 绿色产品(符合 RoHS 标准)
  • 符合 AEC 认证

参数


类型

描述

ID(lim)(multiple)

2 x 5.0 ; 2x 3.0 A

RDS (on) (多个)

2 X 0.5; 2 X 0.75 Ohm (typ @ 150°C)

最高 toff

60 µs

最高 ton

50 µs

VDD

5.0 - 32 V

VDS(CL) 范围

45 V 至 60 V

备注

inductive and resistive loads (e.g. Solenoids, Injectors, Valves, Relays)

工作温度 范围

-40 °C 至 150 °C

引脚数量

20 Pins

散热等级

Heatslug down

目前计划的可用性至少到

n.a

过电流保护

Shutdown

通道数

4

高侧/低侧

0/4

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
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    2026-04-14 277次
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    2026-04-14 265次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 329次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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