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PVA1352NS

在产

100 V、375 mA 单极光伏继电器。8针SMT。这种常开固态继电器可以替代用于通用模拟信号切换的机电继电器。PVA13 系列具有长寿命、快速运行、低拾取功率、无反弹运行、低热失调电压和微型封装等特点。此外,模拟信号可以从热电偶级别切换到 100 伏峰值交流或直流。

Infineon英飞凌 PVA1352NS 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 108 断态电阻
  • 1.000V/μsec dv/dt
  • 5 mA 输入灵敏度
  • 4.000Vrms I/O 隔离
  • 无反弹操作
  • 固态可靠性
  • UL 认证
  • ESD 耐受性:
  • 4000 V 人体模型
  • 500 V 机器模型

参数


类型

描述

最高 介电强度

4000 V

最高 响应时间 (Off)

125 µs

最高 响应时间 (On)

150 µs

最低 控制电流 (nominal)

5 mA

最高 负载电压 (AC V(peak))

100 V

最高 负载电压 (DC)

100 V

负载电流 (AC)

375 mA

负载电流 (DC)

375 mA

隔离电压

4000 Vrms

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
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    2026-04-14 277次
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    2026-04-14 265次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 331次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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