Infineon英飞凌_CYW20835_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 CYW20835 产品介绍

2026-04-14 3次

产品详情

支持快速上市
支持广泛的应用
低功耗
低成本

特性

板载晶体振荡器
无源元件
256KB 板载闪存
全球认证
ModusToolbox ™支持

应用

智能扬声器设计, 冰箱和冷冻柜, 信息和通信技术, 安全摄像头和可视门铃

参数

类型	描述
15年的寿命	Yes
CPU	Arm® Cortex®-M4
GPIO	24
RAM	384 kByte
ROM	2048 kByte
使用寿命-延长	No
发布日期	31-12-2019
合作伙伴模块	N
工作温度范围	-30 °C 至 85 °C
工作电压范围	1.625 V 至 3.63 V
目前计划的可用性至少到	31-12-2034
系列	AIROC™ Bluetooth LE
蓝牙LE RX SENSITIVITY	-94.5 dBm
蓝牙LE TX POWER	12 dBm
蓝牙LE	Yes
蓝牙经典	No
蓝牙规格	Bluetooth® 5.4
软件支持	ModusToolbox™
最高频率	96 MHz

MDD辰达半导体功率TVS新升级：封装不变，功率倍增上一篇下一篇 TI德州仪器 AD724 产品介绍

最新文章

Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍

采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础，能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。

2026-04-14 103次

Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍

CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，具有栅极驱动灵活性，可实现简化且高效的系统设计，从而实现最高效率和功率密度。创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势，提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。

2026-04-14 148次

Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍

这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。

2026-04-14 149次

Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装，基于最先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。

2026-04-14 190次

Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装，专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。

2026-04-14 175次

更多资讯

* 我的问题/建议：
* 联系电话：
上传图片（选填）：	请您提交2M以内的jpg,gif,png格式文件
投诉订单号（选填）：

h1_key

CYW20835

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326