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CYW20829

现货,推荐

AIROC ™ CYW20829 蓝牙® LE MCU 及其附带的外围设备支持,支持对各种蓝牙®低能耗应用进行评估、原型设计和开发,所有这些都可以在英飞凌的低功耗、高性能 AIROC ™ CYW20829 上进行。AIROC ™ CYW20829 具有强大的 RF 性能和 10 dBm TX 输出功率,无需外部功率放大器 (PA)。

Infineon英飞凌 CYW20829 产品介绍
2026-04-14 99次

产品详情


  • 业界最佳的覆盖范围和抗噪能力
  • 通过蓝牙 LE 5.4 为您的设计提供面向未来的保障并解锁新的用例
  • 通过高度集成的 MCU 和“合适大小”的外部闪存降低系统成本
  • 低功耗连接,延长电池寿命
  • 无需加密狗即可实现超低延迟 HID

特性


  • 高度集成的蓝牙® LE 5.4 MCU
  • 96 MHz ARM Cortex M33 – 应用 MCU
  • 48 MHz ARM Cortex M33 – 蓝牙®子系统
  • 256 KB / 96 KB SRAM – 蓝牙® LE
  • 带 XIP 的 48 MHz QSPI/SMIF、32 KB 缓存
  • 片外 Flash 的即时加密
  • 安全启动和加密硬件引擎
  • 发射功率:高达 +10 dBm
  • 强大的接收灵敏度:-106 dBm
  • 1.7 至 3.6 V 电源电压范围
  • 32 个可编程 GPIO
  • 最高 85°C 工作温度

应用


BMS汽车电池管理系统, 遥控器, 医疗保健, 工业自动化, LED 照明系统设计, 智能家居和楼宇, 电子货架标签 (ESL), 电脑配件

参数


类型

描述

15年的寿命

Yes

CPU 频率

96 MHz

CPU

Arm® Cortex®-M33

GPIO

32

MCU 子系统

ARM Cortex M33 configurable with 96/48 MHz

RAM

256 kByte

ROM

64 kByte

使用寿命-延长

No

发布日期

31-03-2024

合作伙伴模块

N

外设

CAN-FD, LIN, 11-bit ADC (Sigma Delta), Keyscan, DMA, RTC, I2C, UART, PDM, 9 timers

安全

Secure-boot, True Random Number Generator (TRNG), cryptographic hardware acceleration, encrypted image support for external flash

工作温度 范围

-40 °C 至 85 °C

支持的协议

Bluetooth Low Energy 5.4

灵敏度(最佳)(dBm)

-106 (LE Coded PHY)

目前计划的可用性至少到

31-03-2039

类型

Wireless MCU

系列

AIROC™ Bluetooth LE

缓存

32 kByte

蓝牙LE RX SENSITIVITY

-98 dBm (LE1M)

蓝牙LE TX POWER

10 dbm

蓝牙LE

Yes

蓝牙子系统

48 MHz ARM Cortex M33 supporting PAwR, LE Long Range, ISOC Channels, Advertisement Extensions

蓝牙经典

No

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 79次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 127次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 126次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 166次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 152次
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