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英飞凌单级反激式控制器ICC80QSG
2022-11-17 771次

  选择电池供电的电器是行业增长最快的目标市场之一,需要节能、稳定需要节能、稳定和具有成本效益的电池充电方案。为了满足这一需求,英飞凌科技推出了适合反激拓扑结构的电池ICC80QSG调制单极脉冲宽度(PWM)控制器进一步扩展了英飞凌旗下的控制器AC-DC控制器IC商品阵容IC专为电池充电应用量身定制,以及CoolMOS™P7非常结(SJ)MOSFET实现输出功率高达130W是的,可扩展的功率设计。本产品还适用于适配器、复印机、个人电脑、电视、显示屏、机顶盒、音频放大器等应用。



  ICC80QSG电池充电IC支持多少低谷开关?(QRMn)。除了准谐振(QRM),还可以防止进入连续导通方式(CCM)在中轻负荷下实现谷值开关的断续导通方式(DCM)。商品可以将ICC80QSG与CoolMOS™P7MOSFET配合使用设备,可提高能效,减少干扰信号(EMI)。而且,由于反激设计所需的散热器和线圈较少,节省了散热器和线圈BOM成本。此外,集成了轻负荷环境下的应急模式,有利于在待机模式下实现极低的功耗。ICC80QSG格栅驱动芯片的输出电压可以在紧急模式下降低,可以满足轻载或无载环境下极低的待机消耗要求,从而在整个工作范围内发挥优异的待机性能。

  ICC80QSG选择次级侧调整(SSR)控制方法,这是电流控制电池充电的理想方案。为了获得更高的设计灵活性,它带来了主要工作频率于低谷开关位置的可调导通时间对照表,以及限制输入功率和电流,使其在低压线路环境下安全运行的可调导通时间。IC外部可调滞回过压保护和欠压,为初级MOSFET带来保护。然后在输入欠压环境中,即使使用较少的散热器也不会过热。具有各种保护功能,ICC80QSG它可以为许多应用程序实现简单、安全和强大AC-DC电池充电器设计。

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  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
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  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
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  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 609次

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