h1_key

  基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的 RDS(on)相结合，非常适合用于 12V 热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。

  多年来，Nexperia(安世半导体)致力于将成熟的 MOSFET 专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键 MOSFET 的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的 ASFET。自 ASFET 推出以来，针对电池隔离(BMS)、直流电机控制、以太网供电(POE)和汽车安全气囊等应用的产品优化升级不断取得成功。

  浪涌电流给热插拔应用带来了可靠性挑战。为了应对这一挑战，增强型 SOA MOSFET 领域的前沿企业 Nexperia(安世半导体)专门针对此类应用进行了全面升级，设计了适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，并增强了 SOA 性能。与之前的技术相比，PSMNR67-30YLE ASFET的 SOA(12V @100mS)性能提高到了 2.2 倍，同时 RDS(on)(最大值)低至 0.7mΩ。与未优化器件相比，新款器件不仅消除了 Spirito 效应(表示为 SOA 曲线的更高压区域中更为陡峭的斜向下曲线)，还同时保持了整个电压和温度范围内的出色性能。

  Nexperia(安世半导体)通过在 125℃ 下对新款器件进行完全表征，并提供高温下的 SOA 数据曲线，消除了热降额设计的必要性，从而为设计人员提供进一步支持。

  8 款新产品(3款25V和5款30V)现已可选择 LFPAK56 或 LFPAK56E 封装，其中 RDS(on)范围为 0.7mΩ 到 2mΩ，可适用于大多数热插拔和软启动应用。其他 2 款 25V 产品的 RDS(on)更低，仅为 0.5mΩ，预计将于未来几个月内发布。