h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 新品资讯>Nexperia安世推出热插拔ASFET产品组合
Nexperia安世推出热插拔ASFET产品组合
2022-11-24 37次


  基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合,推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的 RDS(on)相结合,非常适合用于 12V 热插拔应用,包括数据中心服务器和通信设备。

  多年来,Nexperia(安世半导体)致力于将成熟的 MOSFET 专业知识和广泛的应用经验结合起来,增强器件中关键 MOSFET 的性能,满足特定应用的要求,以打造市场领先的 ASFET。自 ASFET 推出以来,针对电池隔离(BMS)、直流电机控制、以太网供电(POE)和汽车安全气囊等应用的产品优化升级不断取得成功。

  浪涌电流给热插拔应用带来了可靠性挑战。为了应对这一挑战,增强型 SOA MOSFET 领域的前沿企业 Nexperia(安世半导体)专门针对此类应用进行了全面升级,设计了适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合,并增强了 SOA 性能。与之前的技术相比,PSMNR67-30YLE ASFET的 SOA(12V @100mS)性能提高到了 2.2 倍,同时 RDS(on)(最大值)低至 0.7mΩ。与未优化器件相比,新款器件不仅消除了 Spirito 效应(表示为 SOA 曲线的更高压区域中更为陡峭的斜向下曲线),还同时保持了整个电压和温度范围内的出色性能。

  Nexperia(安世半导体)通过在 125℃ 下对新款器件进行完全表征,并提供高温下的 SOA 数据曲线,消除了热降额设计的必要性,从而为设计人员提供进一步支持。

  8 款新产品(3款25V和5款30V)现已可选择 LFPAK56 或 LFPAK56E 封装,其中 RDS(on)范围为 0.7mΩ 到 2mΩ,可适用于大多数热插拔和软启动应用。其他 2 款 25V 产品的 RDS(on)更低,仅为 0.5mΩ,预计将于未来几个月内发布。

  • 瑞萨推出新一代硅基Si-IGBT
  • 瑞萨电子推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车(EVs)逆变器应用。
    2022-11-30 19次
  • 瑞萨推出内置视觉AI加速器的RZ/V系列器件
  • 瑞萨电子推出一款能够处理多个摄像头图像数据的全新RZ/V2MA器件,进一步扩充其RZ/V系列微处理器(MPU)产品线,并为视觉AI应用带来新水平的高精度图像识别能力。
    2022-11-30 19次
  • 瑞萨满足ASIL B标准的RAA271082车规级电源管理IC
  • 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布,推出面向下一代车载摄像头应用的创新RAA271082车规级电源管理IC(PMIC)。
    2022-11-30 16次
  • 瑞萨电子推出5V高性能RX660 32位MCU
  • 瑞萨电子推出RX660 32位MCU产品,新产品支持5V工作电压,为暴露在高电磁干扰下的家用电器和工业设备提供卓越的噪声容限。RX660作为瑞萨高端RX通用MCU产品中首个支持5V的器件。
    2022-11-30 18次
  • 瑞萨电子发布全新Resolver 4.0目录,提供80款市场成熟的电感式位置传感器设计
  • 瑞萨电子推出面向汽车和工业电机领域创新电感式位置传感器的全新Resolver 4.0参考设计目录。借助该目录,工程师们现可拥有80款基于IPS2电机换向传感器的即时设计资源,每款参考设计都针对独特的电机轴或极对配置。
    2022-11-30 19次

    万联芯微信公众号

    元器件现货+BOM配单+PCBA制造平台
    关注公众号,优惠活动早知道!
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部