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  Nexperia安世半导体宣布 Nexperia TrEOS 产品组合再添新产品，即 PESD4V0Y1BBSF 和 PESD4V0X2UM 极低钳位电压 ESD 保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，具备卓越的 IEC61000-4-5 浪涌等级。

  Nexperia 高级产品经理 Stefan Seider 表示：

  Nexperia 开发了 TrEOS 产品组合，专门用于为我们的客户提供一系列适用于 USB3.2、USB4™、Thunderbolt™、HDMI 2.1 和通用闪存等应用的高性能 ESD 保护解决方案。PESD4V0Y1BBSF 和 PESD4V0X2UM 的快速开关速度可为高速数据线提供极为有效的ESD峰值抑制性能，而其低触发电压有助于显著降低 IEC61000-4-5 8/20 µs 浪涌脉冲所含的能量。

  单数据线 PESD4V0Y1BBSF 采用低电感 DSN0603-2 封装，触发电压为 6.3 V TLP，典型器件鲁棒性和电容分别为 25 A 8/20 µs 和 0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF 提供的钳位电压在 16 A 100 ns TLP 时仅为 2.4 V，在 20 A 8/20 µs 浪涌时仅为 3.4 V。双数据线 PESD4V0X2UM 采用紧凑型 DFN1006-3 封装，触发电压为 8 V，典型器件鲁棒性超过 14 A 8/20 µs，典型器件电容为 0.82 pF。

  虽然这两种器件都可为 USB2.0 D+/D- 线路提供出色的保护作用，但 PESD4V0Y1BBSF 的 S21 通带超过 7.5 GHz，因此适用于 5 Gbps 时的 USB3.x。这两种器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出众的 IEC61000-4-5 浪涌等级。

  ▶ PESD4V0Y1BBSF

 

  ▶ PESD4V0X2UM