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  在前文中，大家了解了详解SiP 技术的生态系统(二)——双面塑模成型技术。今天为大家带来第二讲，聊一聊系统级封装技术的第二驾创新马车——电磁干扰屏蔽技术(EMI Shielding Technology)。

  由于高密度线路和各种材料的封装材料广泛应用于系统级封装本身的制造过程中，芯片与各种功能设备之间的合作也需要考虑，封装结构复杂，因此电路元件之间会出现干扰信号问题。为了解决这个问题，长电科技目前有一系列高效干扰信号屏蔽技术方案，导入量产。

  下图所示为一例由长电科技成功导入规模量产的高效电磁干扰屏蔽 SiP 射频前端模块产品。

  在电磁干扰屏蔽材料(EMI Shielding Materials)方面，一场技术创新的盛宴正在全球上演。无论是传统材料巨头如杜邦、汉高、信越化学、东洋油墨等，还是新晋 EMI 屏蔽材料先锋如 Ntrium 等，都争相推出质量更可靠、效果更全面、价格更实惠的全新产品及流程方案。

  对于绝大多数倒装型(Flip Chip)系统级封装产品来说，单芯(Per Die)的平均功率范围一般在 1W 到 15W 之间，因此在地散热能力(Local Thermal Conductivity)是检验 SiP 系统整体性能的关键一环。

  目前可用来提升散热性能的技术方案有以下几种：芯片背面外露技术、高导热塑封材料技术、芯片背面金属板装技术(例如 Heat Sink)、基板金属内层加厚技术以及芯片背面金属化技术(Backside Metallization Technology)。

  长电科技的工程验证结果表明，与其他方案相比，芯片背面金属化技术更适用于加强低、中功率范围的倒装型结构的导热性，同等成本条件下，散热效果的裕值可达到 25%，可谓立竿见影。而电磁干扰屏蔽材料的背面金属化技术同样可以用于芯片背面金属化。

  如下图所示，长电科技已获得该技术方案的数项发明专利。

  从材料到工艺，从技术到方案，长电科技对于创新的不断追求促成了其在电磁干扰屏蔽技术领域强大的技术实力与全面的产品覆盖。系统级封装(SiP)技术作为目前火热的封装技术领域，在长电科技强大 EMI 技术的加持之下，能够有效地完成对潜在电磁干扰的屏蔽，满足全球市场需求。