h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>英飞凌950V IGBT7和1200VSiC二极管
英飞凌950V IGBT7和1200VSiC二极管
2023-01-31 849次

 新品

  光伏组串逆变器用

  45A 三路MPPT模块


英飞凌950V IGBT7和1200VSiC二极管


  光伏组串逆变器用45A三路MPPT模块,由950V IGBT7和1200VSiC二极管构成

  FS3L400R10W3S7F_B11是EasyPACK™3B封装的三路45A MPPT模块。它采用950V的TRENCHSTOP™ IGBT7和1200V的CoolSiC™肖特基二极管的配置。在这种芯片配置中,SiC二极管能有效减少了IGBT的开关损耗。

  模块采用了成熟的PressFIT压接技术,安装非常简单。


  产品特点

  950V TRENCHSTOP™ IGBT7,45A,150度结温时,饱和压降的典型值为1.27V

  1200V CoolSiC™肖特基二极管

  PressFIT引脚

  三电平升压拓扑结构MPPT

  12毫米的模块高度无铜基板模块

  低电感量设计


  应用价值

  市场上最广泛的Easy模块组合,客户可以在不同的拓扑结构、电压等级、封装和技术之间进行选择

  SiC二极管减少了IGBT的开关损耗

  简单的PCB安装

  可扩展的设计

  宇宙射线引起故障的FIT率低

  支持1500直流电压下的全电流运行 

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 301次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 381次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 373次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 471次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 429次

    万联芯微信公众号

    元器件现货+BOM配单+PCBA制造平台
    关注公众号,优惠活动早知道!
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部