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英飞凌推出汽车应用的新型OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列
2023-05-19 808次

  英飞凌推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET,OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装,相比于其它采用微型封装的器件,具有显著的性能优势。这使得全新 MOSFET 成为所有的标准和未来车用 40V MOSFET 应用的理想选择,如电动助力转向系统、制动系统、断开开关和新区域架构。OptiMOS 7 系列产品还可用于电池管理、电子保险丝盒以及 DC-DC 和 BLDC 驱动器。

  

 

 

  英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。该系列采用领先的技术,能在紧凑的设计中提供优异的效率和功率。这些半导体器件具有卓越的功率密度和能效,同时具有业界最低的导通电阻。”

  全新 OptiMOS 系列产品降低了开关损耗,并提高了安全工作区(SOA)的鲁棒性和高雪崩电流能力。因此,它们有助于未来高效汽车应用的设计。该器件系列采用多种坚固的车规级功率封装方式,包括 TDSON-8、HSOF-5、HSOF-8 和顶部冷却封装。得益于紧凑的外形,该系列可在提高系统效率的同时大幅降低空间需求。此外,新产品可以改善冷却,同时降低了系统成本。借助这些器件,设计人员能够轻松设计出质量卓著的产品和应用。

 

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 421次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
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  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 512次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 710次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 625次

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