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英飞凌推出 集成式功率OptiMOS™ 5 IPOL系列降压稳压器
2022-11-17 1577次

  随着人工智能(AI)技术在大规模数据中心里的应用,整个市场对更高性能的半导体器件的需求也将持续增加。这一趋势使得为智能的企业级系统创建高功率密度、高能效的解决方案成为了一大挑战。为了解决这一挑战,英飞凌科技近日推出了全新的OptiMOS™ 5 IPOL系列降压稳压器。该产品系列具有符合VR14标准的SVID和I2C/PMBus数字接口,适用于英特尔和AMD的服务器CPU及网络ASIC/FPGA。这些器件采用5 x 6 mm² PQFN封装,可为新一代服务器、存储、电信和数据通信应用以及分布式电源系统提供一种简单易用的、完全集成的高能效解决方案。



  OptiMOS™ IPOL单输出同步降压稳压器TDA38640可提供高达40 A的输出电流。该器件带有英特尔SVID和I2C/PMBus数字接口,使得客户无需对BOM(材料清单)信息做重要修改,即可将其应用于符合英特尔VR12、VR12.5、VR13、VR14、IMPVP8规范的设计以及DDR存储器。英飞凌的TDA38740和TDA38725数字IPOL降压稳压器配备有PMBus接口,能够分别支持高达40 A和25 A的输出电流。这三款新器件均搭载了英飞凌专有的恒定导通时间(COT)PWM引擎,能够实现业界领先的瞬态响应能力,同时降低产品使用时的开发设计难度。

  借助板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™ FET,这几款新器件支持高效的功率传输和较小的占板面积。此外,它们还具有必要的通用性,可在更加宽泛的输入和输出电压范围内工作,同步实现400kHz至2MHz的可编程开关频率。多重时间编程(MTP)存储器支持在设计和大批量制造过程中进行定制,大大缩短了产品的设计周期和上市时间。此外,这些器件提供数字可编程负载线,无需外部元器件的助力,即可通过配置寄存器进行设置,从而简化了BOM。英飞凌还提供配套的XDP™ Designer GUI(图形用户界面)等支持工具,以便客户轻松地进行器件配置,并将其存储在片上存储器中。


  英飞凌推出800V和950VAC-DC集成式功率级级产品,进一步扩展其固定频率CoolSET™产品组合

  在提高高压电源的性能、效率和可靠性的同时,也需要减少元器件的数量和BOM(材料清单)成本,并降低所需的设计工作量。为了满足这些需求,英飞凌科技推出第五代固定频率(FF)CoolSET™ 产品组合,旨在提供合适的关键器件,以优化设计。英飞凌全新的800V和950V AC-DC集成式功率级(IPS)产品均采用DIP-7封装,可满足家用电器辅助电源、AC-DC转换器、电池充电器、太阳能系统以及电机控制和驱动等应用的需求。



  固定频率 CoolSET™解决方案在单个封装内集成了PWM控制器IC和最新的高压CoolMOS™ P7超结(SJ)MOSFET。扩展后的产品组合包含市场上首款集成了950V具有耐雪崩击穿能力的超结MOSFET的功率半导体器件,支持更宽的输入电压范围。新器件同时支持隔离和非隔离的拓扑结构包括Flyback和Buck,可以在100 kHz和65 kHz的开关频率下工作。用一个器件同时支持低系统成本的Buck和通用的Flyback,可简化客户的供应链; 集成的误差放大器支持原边反馈,这是非隔离式拓扑结构的典型特征,该特性还进一步减少了器件的数量和设计的复杂性。

  集成软驱动和抖频率的降频模式减轻了电磁干扰,并提高了中、轻负载条件下的效率。支持连续导通模式(CCM)和不连续导通模式(DCM),在低压输入条件下,CCM可以降低导通损耗,从而提高效率,满足国际能效标准。集成的MOSFET支持诸如单相智能电表和工业应用相关的超宽输入电压范围。另外,该产品还有助于优化缓冲电路的设计,进一步提高效率及降低待机功耗。

  所有新产品都集成多种的自恢复保护功能,在发生故障时通过自动重启功能支援供电系统。完善的保护功能再加上超结 MOSFET的高击穿电压特性,进一步提高了供电的稳定性。此外,主动突发模式(ABM)改善了轻载性能并实现了超低待机功耗,而且输出电压纹波小且可控。

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
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    2026-04-14 678次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
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