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英飞凌推出HYPERRAM™存储芯片3.0器件
2022-11-17 1423次

  英飞凌科技推出新型HYPERRAM™3.0器件,进一步完善其高带宽、低引脚数存储解决方案。该装置有全新的16位扩展器HyperBus™接口可将吞吐量翻倍至800MBps。在推出HYPERRAM™3.0装置后,英飞凌可以提供完美的低引脚、低功耗的高带宽存储器产品组合。该芯片非常适合扩展RAM存储器的应用包括视频缓冲、工厂自动化、人工智能物联网(AIoT)与汽车联网(V2X),数据密集型计算的应用需要便纸式存储器。



  新型HYPERRAM™ 3.0存储芯片

  英飞凌科技汽车电子事业部高级营销和应用总监Ramesh Chettuvetty表示:“英飞凌在存储器解决方案领域拥有近三十年的深厚专业积淀,我们十分高兴为市场带来又一款行业首创产品。全新HYPERRAM™ 3.0存储器解决方案每个引脚的数据吞吐量远高于PSRAM、SDR DRAM等市面上现有的技术。其低功耗特性能够在不牺牲吞吐量的情况下实现更低的功耗,因此这款存储器是工业和物联网解决方案的理想选择。”

  英飞凌HYPERRAM™是一款基于PSRAM的独立易失性存储器,它可提供一种经济实用的添加方式来扩展存储器。其数据速率与SDR DRAM相当,但所用的引脚数更少,功耗更低。HyperBus™接口每个引脚的数据吞吐量更高,从而可以使用引脚数较少的微控制器(MCU)和层数较少的PCB,为目标应用提供复杂性更低以及成本更优化的的设计方案。

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
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  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
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  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 499次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 679次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 607次

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