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IRS2975C间接飞行时间(i-ToF)技术
2022-12-27 1097次

  英飞凌科技与专注于3D ToF 领域的优质合作伙伴湃安德(pmd)联合推出IRS2875C的性能进阶版——IRS2975C图像传感器。作为业界首款基于英飞凌最新像素技术成果的图像传感器,其工作原理运用被称为“间接飞行时间(i-ToF)”的飞行时间(ToF)技术。IRS2975C的小尺寸和性能专为不断增加的iToF应用量身定制,能够在低功耗的情况下提供宽泛的工作范围。这款全新i-ToF传感器是消费级智能手机、服务机器人、无人机以及各种物联网设备的理想选择。


IRS2975C间接飞行时间(i-ToF)技术


  英飞凌的最新像素技术由于包含高级3D场域工程设计,因此具有优异的解调效率。并且通过埋入式光学反射器可将量子效率(QE)提升到迄今为止只有背面照明(BSI)传感器才能达到的水平,同时又保持了正面照明(FSI)传感器的成本优势。搭配IRS9102C VCSEL驱动器,IRS2975C可节约摄像模块的材料成本,并为量产型智能手机提供差异化的功能。


IRS2975C间接飞行时间(i-ToF)技术


  IRS2975C采用分辨率为HQVGA,240 x 180像素,和实现1/6"像圈的领先18 mm2芯片。它通过背景照明抑制(SBI)技术,可提供 10 µm高灵敏度像素,且通过低运行功耗,可支持系统的高度集成化。该成像仪支持2.8V电源,同时还提供独特的激光人眼睛安全保护功能机制,为用例与输出功率的定制化提供高度的灵活性。


  英飞凌推出面向支付应用的28nm工艺节点SLC26P安全控制器

  以更加丰富的产品选择,保证长期、可靠的智能卡和嵌入式安全IC产品供应

  28nm工艺节点集成电路在几年前就已开始商业化生产。随着这项工艺技术的发展成熟,市场对28nm产品的需求也不断增加。尽管优势众多,但迄今为止,该技术仍未成为安全应用领域的主流技术。英飞凌科技近日推出SLC26P,这是首款面向大批量支付应用、基于可应对未来需求的28nm工艺节点的安全IC。


IRS2975C间接飞行时间(i-ToF)技术


  英飞凌科技数字安全与身份识别产品线负责人Ioannis Kabitoglou表示:“英飞凌是首家将28nm工艺节点用于智能卡IC的公司。此举也凸显出英飞凌长期致力于安全IC市场的发展。SLC26P是首款将采用28nm技术制造的智能卡IC产品。英飞凌计划于2023年上半年快速提高产量,以满足市场对尖端安全解决方案持续的高需求,并缓解半导体短缺对安全IC领域带来的负面影响。”

  英飞凌与长期合作伙伴台积电共同开发了28nm工艺节点的安全IC产品。90nm、65nm和40nm等成熟技术存在的产能问题,长期难以满足安全应用市场的强劲需求。硅晶圆厂正持续扩建新产能以解决该问题。英飞凌将28nm工艺节点用于安全IC领域,为市场带来了更加灵活的选择,还为该领域提供了性能更强以及更加节能环保的产品。28nm工艺节点产品系列将在未来几年用于最先进的智能卡和嵌入式安全IC应用,包括支付和传输市场,以及身份验证解决方案。

  英飞凌的SLC26P是首款针对支付应用进行优化的28nm安全控制器。该产品预计将于2022年12月获得EMVCo认证。SLC26P为支付行业带来了无可比拟的性能,同时满足较高的安全标准。SLC26P采用先进Arm® v8-M架构,该架构针对深度嵌入式系统进行了优化,专为低延迟处理而打造。

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 245次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 317次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 312次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 388次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 355次

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