h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>英飞凌1200V三相栅极驱动器EiceDRIVER™
英飞凌1200V三相栅极驱动器EiceDRIVER™
2023-02-22 1242次

  EiceDRIVER™ 0.35A/0.65A

  1200V SOI技术的三相栅极驱动器



英飞凌1200V三相栅极驱动器EiceDRIVER™ 





  EiceDRIVER™ 1200V三相栅极驱动器,典型的0.35A源电流和0.65A灌电流。其采用DSO-24引脚封装,适用于IGBT(绝缘栅双极晶体管)/SiC(碳化硅)模块和分立器件驱动。

  产品型号:

  6ED2231S12T

  EiceDRIVER™ 1200V三相栅极驱动器,典型的0.35A源电流和0.65A灌电流。其采用DSO-24引脚封装,适用于IGBT(绝缘栅双极晶体管)/SiC(碳化硅)模块和分立器件驱动。

  通过利用我们的1200V绝缘体上硅(SOI)技术,6ED2231S12T提供了独特的、可量化的优势,包括三个低欧姆值的集成自举二极管(BSD)和业界最佳的稳健性,提高承受负瞬态电压的能力。


  产品特点

  1200V薄膜绝缘体上硅(SOI)

  集成了超快速自举二极管

  可以容忍高达-100V的负瞬态电压(脉冲宽度为700ns),由SOI技术实现。

  输出源/灌注电流能力+0.35A/-0.65A


  全面保护

  ■ 过电流保护(ITRIP+/-5%参考值)

  ■ 桥臂直通保护

  ■ VCC和VBS的独立欠压锁定,带有误差小的UVLO保护

  ■ 故障报告、自动故障清除和使能功能在同一引脚上(RFE)

  DSO-24封装



  应用价值

  带有集成自举二极管的三相栅极驱动器,体积小,实现更低的BOM成本,更小的PCB空间,更简单的设计,成本更低

  优化的栅极驱动解决方案,设计灵活,适用于IGBT/SiC的PIM、分立开关器件

  100V负瞬态电压增加可靠性/稳健性

  比其它非SOI的电平移位产品,功耗降低50%,实现了更低的工作温度和更高的可靠性

  快速而精确的集成过流保护,与分立的运算放大器解决方案相比,尺寸小和成本低

  低电压锁定在电源电压低时提供保护

  DSO-24封装(去掉4个引脚的DSO-28),在小IC封装里实现了电气间隙要求



  竞争优势

  世界上第一个6路1200V栅极驱动器

  采用SOI技术可耐受高达-100V的负瞬态电压

  可覆盖高达10kW的应用



  产品框图



英飞凌1200V三相栅极驱动器EiceDRIVER™  





  应用领域

  吊扇-电机控制和驱动解决方案

  采暖通风和空调(HVAC)

  工业电机驱动和控制

  住宅热泵

  商业空调(CAC)

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 100次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 141次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 143次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 189次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 173次

    万联芯微信公众号

    元器件现货+BOM配单+PCBA制造平台
    关注公众号,优惠活动早知道!
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部