h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>安世>安世半导体推出先进的 I²C GPIO扩展器NCA9595
安世半导体推出先进的 I²C GPIO扩展器NCA9595
2023-04-28 690次


  Nexperia安世半导体近日宣布推出全新 16 通道 I2C 通用输入输出(GPIO)扩展器产品组合,旨在提高电子系统的灵活性和重复利用能力。其中一款 GPIO 扩展器 NCA9595 采用可通过寄存器配置的内部上拉电阻,可根据实际需要自定义以优化功耗。当需要扩展 I/O 数量时,利用该产品组合可实现简洁的设计,同时尽可能减少互连。这有助于设计工程师增添新功能,而且不会增加 PCB 设计复杂性和物料成本。

  随着服务器、汽车、工业、医疗和物联网(IoT)的发展,需要通过微控制器进行监测的传感器信号数量持续增加,因此用作系统状态指示器的发光二极管(LED)数量也相应增加。在微控制器设计中, GPIO 端口数量有限,许多端口供系统内部使用,仅留下少量 I/O 用于连接传感器或 LED。针对这个问题,采用 I2C GPIO 便可额外提供 128 个 I/O 通道。

  Nexperia I2C 16bits GPIO产品组合还包括 NCA9535、NCA9539、NCA9555 和 NCA9595 器件。这些器件采用引脚兼容的行业标准封装(TSSOP24 和 HWQFN24),能够灵活扩展电子系统中的并行 I/O 数量,经济且高效。该系列器件型号及其特性如下所述:

  

 

  NCA9595 与竞品 GPIO 扩展器有所不同,它内置一个可通过寄存器配置的内部上拉电阻,因此无需使用外部上拉电阻(节省电路板空间和成本),并能够根据客户要求实现功耗优化。

  值得注意的是,与同类竞品器件相比,产品组合中的所有器件均具备额外的应用特点和优势——待机电流为 2.5 uA(比竞品低28%),输出电容为 4.5 pF(比竞品低45%),传播延迟为 280 ns(比竞品快6%),功耗更低,GPIO 至 I2C(包括反方向)响应速度更快。所有器件的工作电压范围为 1.65 V 至 5.5 V,工作温度范围为 -40°C 至 +85°C 以及 -40°C 至 +125°C。

 

  • Nexperia安世半导体50 µA齐纳系列二极管B-selection
  • 新型50 µA齐纳系列二极管推出B-selection (Vz +/-2%),Vz范围从1.8 V到51 V,提供标准版和汽车版。这使得它们非常适合汽车应用,例如电动汽车(EV)的车载充电器,以及广泛的工业和消费应用,例如通用计算单元、电池管理系统、设备充电器和智能手表。
    2024-09-19 517次
  • Nexperia安世​最新NextPower 80和100V MOSFET产品
  • Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用以及各种电信、电机控制和其他工业设备中提供高效率和低尖峰。设计人员可以从80 V和100 V器件中进行选择,RDS(on)选型从1.8 mΩ到15 mΩ不等。
    2024-08-07 42691次
  • Nexperia安世半导体在APEC 2024发布新型MOSFET
  • Nexperia安世半导体宣布发布几款新型MOSFET,以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围,可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于 PoE、eFuse 和继电器替代产品的 100 V 应用专用 MOSFET (ASFET),采用 DFN2020 封装,体积缩小 60%,以及改进了电磁兼容性(EMC)的 40 V NextPowerS3 MOSFET。
    2024-02-29 580次
  • Nexperia安世CFP3-HP汽车平面肖特基二极管
  • 近日,Nexperia安世宣布,现可提供采用 CFP3-HP 封装的 22 种新型平面肖特基二极管产品组合。该产品组合包括 11 种工业产品以及 11 种符合 AEC-Q101 标准的产品。本次产品发布是为了支持制造商以更小尺寸的 CFP 封装器件取代 SMx 型封装器件的发展趋势,特别是在汽车应用中。这些二极管适用于 DC-DC 转换、续流、反极性保护和OR-ing(打嗝)应用等。
    2024-02-28 553次
  • Nexperia安世半导体宣布推出首款碳化硅(SiC)NSF040120L3A0和NSF080120L3A0
  • Nexperia(安世半导体)宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
    2023-12-07 527次

    万联芯微信公众号

    元器件现货+BOM配单+PCBA制造平台
    关注公众号,优惠活动早知道!
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部