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英飞凌推出全新EiceDRIVER™ 1200 V 半桥驱动器 IC系列
2023-05-11 1309次

  英飞凌继推出 EiceDRIVER™ 6ED223xS12T 系列 1200 V 绝缘体上硅(SOI)三相栅极驱动器之后,现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列,进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列,为客户提供了更多的选择以及设计灵活性。增强的电流输出能力将这一产品组合的适用性提升到更高的系统功率水平。这些器件能够提供业内领先的负极 VS 负瞬态电压抗扰度、击穿保护、欠压锁定保护和快速过电流保护特性。这些特性不仅可以减少器件,实现更坚固的设计,并且其紧凑的外形适用于高功率应用,如商用暖通空调系统、热泵、伺服驱动器、工业逆变器以及输出功率高达 10 kW 的泵机和风扇。

  

 

  该系列半桥驱动器 IC 有四种型号,分别采用两种不同的封装技术:2ED132xS12M 采用 DSO-16 300 mil封装,+2.3 A/-4.6 A 的电流能力;2ED132xS12P 则采用 DSO-20 300 mil封装,+2.3 A/-2.3 A 电流驱动能力。该系列产品具有很好的开关性能,封装保留足够爬电距离和电气间隙。该系列产品集成了低电阻(30 Ω)自举二极管、可提供超快且准确(±5% 容差)的过电流保护(OCP),并通过单独逻辑地(VSS)和输出地(COM)引脚来实现输入、故障输出和可编程故障复位等功能。2ED132xS12M 变体还具备有源米勒钳位(AMC)和短路钳位(SCC)的附加功能。

  

 

  英飞凌的 SOI 技术消除了寄生晶闸管结构,提高了 VS 引脚上的负瞬态电压稳健性和抗扰度,这样可以保证在重复的 700 ns脉冲周期对100 V 的-VS 瞬变的承受力。此外,这些半导体器件均符合 RoHS 标准,并具有静电保护(ESD)和防潮能力。


  英飞凌推出面向电动汽车牵引逆变器的新型汽车功率模块——HybridPACK™ Drive G2

  英飞凌近日推出一款新型汽车功率模块——HybridPACK™ Drive G2。该模块传承了成熟的 HybridPACK Drive G1 集成 B6 封装概念,在相同尺寸下提供可扩展性,并扩展至更高的功率和易用性。HybridPACK Drive G2 系列具有不同的额定电流和电压等级(750 V和1200 V),并使用了英飞凌的下一代芯片技术 EDT3(硅 IGBT)和 CoolSiC™ G2 MOSFET。

  

 

 

  HybridPACK Drive G2 能够在 750 V 和1200 V 电压等级内实现高达 300 kW 的功率,提供高度易用性和新功能,例如下一代相电流传感器和片上温度传感的集成选项,从而优化系统成本。这款功率模块通过改进的组装和互连技术,实现了性能和功率密度双提升。通过采用新的互连技术(芯片烧结)和新材料(新型黑色塑料外壳),该模块还实现了更高的温度额定值,从而获得更高的性能和更长的使用寿命。

  

 

 

  第一代(G1)HybridPACK Drive 于 2017 年推出,其采用硅 EDT2 技术,可在 750 V 电压等级下提供 100 kW 至 180 kW 的功率范围。2021 年,英飞凌进一步扩展其产品系列,推出第一代车规级 HybridPACK Drive CoolSiC MOSFET。这不仅让逆变器的设计在 1200 V 等级内实现更高的功率(最高可达 250 kW),还扩大了驱动范围、缩小了电池尺寸、优化了系统尺寸和成本。HybridPACK Drive 已在全球各种电动汽车平台的出货近 300 万套,是半导体科技公司英飞凌在市场上领先的功率模块。

 

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 89次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 134次
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  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 135次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 179次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 167次

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