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英飞凌新品 iSSI系列固态隔离器
2024-04-16 1544次

  

 

新颖的固态隔离器系列带集成式隔离型栅极驱动电源,以驱动MOS电压驱动型功率晶体管,如CoolMOS™,OptiMOS™,TRENCHSTOP™ IGBT或CoolSiC™。固态隔离器系列的驱动侧不需要专用电源来驱动功率晶体管的栅极。并提供了先进的控制功能,如快速开通和关断栅极,过流保护和过温保护功能,可轻松安全地为各种应用设计固态继电器。

 

  产品型号:

  ●iSSI20R02H

  ●iSSI20R03H

  ●iSSI20R11H

  ●iSSI30R11H

  ●iSSI30R12H


  产品特点

  集成式隔离型栅极驱动电源

  高阻抗CMOS输入

  输出电压高达18V-无需串联/并联配置即可实现强大的栅极驱动能力

  输出峰值电流高达185µA(直接驱动型)或400mA(缓冲型)

  保证开关在安全工作区(SOA)内快速开通和关断

  温度传感器和电流传感器输入实现保护

  动态米勒钳位

宽体封装,具有较高的爬电距离和电气间隙,符合UL 1577/IEC 60747-17标准

 

  应用价值

  实现高系统可靠性-无机械运动部件

  次级驱动能量跨越隔离层来自初级

  无需驱动隔离电源

  最大限度地减少对散热器的需求

  在安全工作区(SOA)内快速开通和关断

  系统级保护:过流保护(OCP)、过热保护(OTP)


  框图

 

 

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
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  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
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