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  可靠的高性能雷达模块是改善自动驾驶辅助系统和实现未来自动驾驶的关键。汽车需要携带更多、更高性能的雷达模块来实现许多新功能，如高级自动紧急制动系统，快速行动过马路的摩托车手(AEB)等等。目前，欧盟新车安全评估协会(NCAP)正在进行的一系列项目和立法是促进雷达模块市场增长的重要驱动力之一。

  英飞凌科技在雷达模块市场领先15年以上，是雷达单片微波集成电路(MMIC)TOP1制造商。英飞凌开辟了收发器集成(将发射器和接收器集成到同一芯片中)的先例，并于2009年推出了世界上第一款基于硅锗的产品(SiGe)技术的77GHz车配mm波雷达芯片。此外，英飞凌还拥有广泛的产品组合，可涵盖从短距离雷达(角雷达)到高端前向雷达的完整产品细分市场。

  近日，英飞凌发布了新一代创新雷达RASIC™CTRX8181收发器，这也是选择28纳米CMOS新76的科研开发GHz至81GHz雷达MMIC该系列的第一个产品。该产品具有更高的信噪比和线性，可以提高系统性能和设计灵活性。同时，雷达收发器使用方便，可为角雷达、前雷达、短距离雷达等不同传感器提供可扩展渠道，为新软件定义的汽车架构带来灵活性。客户可以使用这个雷达收发器以更低的成本开发77GHz车配mm波雷达的应用。

  英飞凌科技汽车电子事业部雷达MMIC产品营销总监Tomas Lucia表示：“新一代CTRX8181收发器能够准确地对物体进行分类和检测，这是保护摩托车手、骑行者或行人等道路安全弱势群体所必需的功能。此外，这款产品还提升了射频性能，可助力部署所有SAE级别的(最高可达L4级)可靠辅助驾驶和自动驾驶功能。”

  CTRX8181是英飞凌基于最新ISO26262功能安全标准所开发出的新产品，带有4个发射通道和4个接收通道。该器件具有出色的信噪比(SNR)，并且将标准模块的感应范围扩大了25%(例如从250米增加到300多米)。凭借更多的射频通道数与更高的线性度，该产品的垂直分辨率和角度分辨率提高了33%，能够更好地对不同的物体进行分类，例如准确识别出汽车旁边的行人等。客户可基于该产品的以上特性开发适用于所有应用的雷达模块(从角雷达到高分辨率雷达等)。

  片内数字锁相环(PLL)支持频率斜坡的快速稳定，可获得更高的距离分辨率和超快的回扫时间，与市面上最好的解决方案相比响应速度提高了4倍。这一新特性不仅降低了功耗，而且对速度相近的物体可以依据速度进行更准确的分类。片内数字锁相环可以在不影响相位噪声的前提下实现完全可灵活调制的频率斜坡，从而使雷达在各类应用场景中稳定可靠，因此适用于电子罗盘等频率干扰比较大的方案。

  全新CTRX产品系列与英飞凌AURIX™微控制器(MCU)TC3x以及即将推出的TC4x雷达专用产品可谓珠联璧合。TC3x和 TC4x均集成了信号处理单元(SPU)和用于片上程序代码存储的非易失性存储器。与AURIX™芯片组搭配使用，能够让CTRX在未来的NCAP(新车碰撞测试)和实际路况中发挥出最佳的性能，例如在恶劣天气条件下提高雷达的可靠性。

  通过系统分区，厂商能够灵活地提供具有完整雷达处理能力的传统解决方案，也可以采用不同的架构，比如通过100 Mbit/s或 1 Gbit/s 以太网以极低功耗实现数据流预处理。系统分区还支持为目标应用选择合适的MMIC和微控制器，以便轻松实现扩展以满足各种成本和性能要求。通过LVDS或CSI-2建立与MCU的连接，可帮助厂商更加灵活地组合器件。

  英飞凌推出950 V CoolMOS™ PFD7系列

  内置集成的快速体二极管，可满足大功率照明系统和工业SMPS应用的需求

  为了满足当今市场对产品小型化、高能效的需求，英飞凌科技推出了全新的CoolMOS™ PFD7高压MOSFET系列，为950V 超结(SJ)技术树立了新的行业标准。全新950V系列具有出色的性能和易用性，采用集成的快速体二极管，可确保器件的稳健性，同时降低了BOM(材料清单)成本。该产品专为超高功率密度和超高效率的产品设计量身打造，主要用于照明系统以及消费和工业领域的开关电源(SMPS)应用。

  新产品系列适用于反激式、PFC和LLC/LCC设计，包括使电源换向变得稳定而可靠的半桥或全桥配置。通过集成具有超低反向恢复电荷(Qrr)的超快速体二极管，该系列产品实现了硬换向的稳健性和可靠性，并成为该电压级别中更稳健的超结 MOSFET，可适用于目标应用中的所有拓扑结构。此外，开关损耗(EOSS、QOSS和Qg)的大幅降低也提高了硬开关和软开关应用的使用效率，与900V CoolMOS C3 超结MOSFET相比，MOSFET温度最高可降低4开尔文。相较以前，新产品更为绿色环保，其轻载和满载PFC效率提高了0.2%以上，同时可满足LLC效率要求。

  新产品系列降低了各种采用SMD封装和THD封装的器件的导通电阻(RDS(on))值，最高可降低55%，例如DPAK封装中器件的导通电阻值为450 mΩ或TO247封装中器件的导通电阻值为60 mΩ。设计人员可通过减小封装尺寸、大幅提高功率密度并节省电路板空间，降低BOM成本和生产成本。其柵极-源极阈值电压(V(GS),th)为3V，V(GS),th最低变化范围为±0.5V，可方便新器件的设计导入和驱动，提高了设计自由度;利用低阈值电压和容差可避免使用MOSFET线性模式，降低了驱动电压和闲置损耗。另外，与CoolMOS C3相比，新产品系列的栅极电荷改善了60%，大大降低了驱动损耗，而且能够达到人体放电模型(HBM)(2级静电放电敏感度)标准，保证了静电放电(ESD)的稳健性，进而减少了与ESD有关的设备故障，提高了产量。