h1_key

  Nexperia安世扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。

  多年来，Neperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的ASFET。自ASFET推出以来，针对电池隔离(BMS)、直流电机控制、以太网供电(POE)和汽车安全气囊等应用的产品优化升级不断取得成功。

  浪涌电流给热插拔应用带来了可靠性挑战。为了应对这一挑战，增强型SOA MOSFET领域的前沿企业Nexperia专门针对此类应用进行了全面升级，设计了适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，并增强了SOA性能。与之前的技术相比，PSMNR67-30YLE ASFET的SOA(12V @100mS)性能提高到了2.2倍，同时RDS(on)(最大值)低至0.7mΩ。与未优化器件相比，新款器件不仅消除了Spirito效应(表示为SOA曲线的更高压区域中更为陡峭的斜向下曲线)，还同时保持了整个电压和温度范围内的出色性能。

  Nexperia通过在125°C下对新款器件进行完全表征，并提供高温下的SOA数据曲线，消除了热降额设计的必要性，从而为设计人员提供进一步支持。

  8款新产品(3款25V和5款30V)现已可选择LFPAK56或LFPAK56E封装，其中RDS(on)范围为0.7mΩ到2mΩ，可适用于大多数热插拔和软启动应用。其他2款25V产品的RDS(on)更低，仅为0.5mΩ，预计将于未来几个月内发布。