h1_key

IR2110STRPBF

一、IR2110STRPBF介绍

  厂商型号：IR2110STRPBF

  品牌名称：Infineon(英飞凌）

  元件类别：场效应管(MOSFET)

  封装规格：SOIC-16

  型号介绍：高电压、高速功率MOSFET

二、IR2110STRPBF概述

  IR2110STRPBF是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲阶段，设计为最小的驱动器的交叉传导。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高达500或600伏特的高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT。

  特点：

  浮动通道设计用于自举操作

  完全工作到+500V或+600V

  耐受负瞬态电压

  dV / dt免疫

  •栅极驱动电源范围从10到20V

  两个通道的低压锁定

  •3.3V逻辑兼容

  独立的逻辑电源范围从3.3V到20V

  逻辑电源接地±5V偏移

  •CMOS施密特触发下拉输入

  •一个周期一个周期的边缘触发停机逻辑

  •两个通道的传播延迟匹配

  •输出与输入同步

三、IR2110STRPBF中文参数/资料

  驱动配置：半桥

  通道类型：独立式

  驱动器数：2

  栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET

  电压 - 供电：3.3V ~ 20V

  逻辑电压 - VIL，VIH：6V，9.5V

  电流 - 峰值输出(灌入，拉出)：2A，2A

  输入类型：非反相

  高压侧电压 - 最大值(自举)：500 V

  上升/下降时间(典型值)：25ns，17ns

  工作温度：-40°C ~ 150°C(TJ)

  安装类型：表面贴装型

  封装：16-SOIC

四、IR2110STRPBF引脚图、原理图、封装图

IR2110STRPBF引脚图

IR2110STRPBF电路图(原理图)

IR2110STRPBF封装图