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  • 芯伯乐XBL1507B系列3A 150kHz 40V DC-DC转换器，高效率宽输入电源解决方案
    • 在工业控制、通信设备及电池供电系统中，稳定高效的电源转换器是系统可靠运行的基础。芯伯乐（XBLW）推出的XBL1507B系列降压DC-DC转换器，凭借其3A输出能力、4.5V~40V宽输入范围、150kHz固定频率以及内置功率管和保护功能，为各类中压降压应用提供了简单可靠、高性价比的电源方案。
    2026-06-18 13次
  • 芯伯乐产品在电流检测中的应用方案指南
    • 电流检测是电子电路进行感知及保护的核心，通过对回路电流的实时采集、精准转换与信号分析，为系统安全防护、闭环控制等提供关键数据支撑。其广泛应用于电机驱动、工业测控等领域，是保障设备可靠运行的关键。市面上主流的检测方式有两类：一类是以欧姆定律为原理的电阻检测法，一种是以霍尔效应为原理的霍尔隔离检测法。
    2026-06-18 45次
  • MDD辰达半导体推出集成ESD防护小型化MOS，赋能智能穿戴与精密接口开关
    • MDD 推出MDD3134KM、MDD3139KM、2N7002KM三款同封装 MOSFET 产品。统一采用SOT-723 超小型封装，沟槽工艺，分别覆盖 60V 高压信号开关、20V 低压功率开关、互补推挽电路等主流场景，成为智能穿戴、器件接口开关、电池保护、小型电机驱动等领域的高性价比国产优选方案。
    2026-06-17 54次
  • 万联芯城2025年端午节放假通知
    • 万联芯城2025年端午节放假通知
    2026-06-11 37次
  • MDD辰达半导体推出大功率高防护TVS系列 专为小型BMS瞬态防护而生
    • 小型BMS主板需同时容纳主控单元（BMU）、模拟前端（AFE）、CAN通信、均衡电路及功率MOS管等模块，留给瞬态抑制器件的布板空间极为有限。同时，BMS工作环境存在电池包高压浪涌、MOS管开关尖峰、热插拔冲击等严峻电气应力，对TVS的浪涌承受能力和可靠性提出了极高要求。
    2026-05-25 27次
  • 万联芯城2026年劳动节放假通知
    • 2026-04-28 77次
  • 芯伯乐高效3A降压方案：XBL2596 PCB设计指南
    • XBL2596是一款150kHz固定频率的PWM降压（Buck）DC/DC转换器，具备以下特点： -宽输入电压：DC 4.5V~40V -输出规格：支持3.3V、5V、12V固定输出及可调（ADJ）输出 -最大输出电流：3A -典型转换效率：最高可达90% -工作频率：固定150kHz（第二级电流限制时自动降至50kHz） -内置功能：PWM控制、使能控制、过流保护、内部频率补偿 -封装形式：TO-263-5、TO-220-5
    2026-04-21 240次
  • 芯伯乐高效灵活降压方案：XBL1509B PCB设计指南
    • 芯伯乐主推的开关降压型DC-DC转换芯片——XBL1509B成为工程师开发的理想选择，本文将结合其PCB板设计，提供一整套系统化的设计思路与实施要点。 一、芯片核心特性概览 XBL1509B是一款采用SOP-8封装的开关降压芯片，具有以下突出特性： - 宽输入电压：DC 4.5V~40V - 多路输出支持：3.3V、5V、12V固定输出及可调（ADJ）输出 - 最大输出电流：2A - 典型转换效率：>80% - 固定开关频率：150kHz，有助于减小外围电感尺寸 - 内置功能：使能控制、过流保护、软启动、内部补偿等 - 输出电压支持：最高可达37V 二、典型应用电路设计 XBL1509B提供两种典型输出模式： 固定输出模式（3.3V/5V/12V）
    2026-04-21 145次
  • 【应用】基于XBLW LM2596的DCDC转换器模块设计
    • XBLW LM2596是一款单片集成的降压开关稳压器，具备优异的线性和负载调节能力，最大输出电流可达3A。该芯片提供3.3V、5V、12V固定输出以及可调输出版本，输出电压范围可达1.23V至37V。
    2026-04-21 689次
  • 【应用】宽压输入，高效稳压：XBL1509 DCDC降压转换器在机顶盒电源中的设计
    • 在现代机顶盒的紧凑机身内，一个高效、可靠的电源架构是实现稳定运行的基础。XBL1509作为一款经典的150KHz、3A 降压（Buck）DC/DC转换器，凭借其宽输入范围、高集成度和简易的设计，成为众多电源设计工程师的理想选择。
    2026-04-21 74次
  • MDD辰达半导体功率TVS新升级：封装不变，功率倍增
    • 随着芯片工艺迈入纳米级，器件栅氧层厚度降低，其对电过应力（EOS）的耐受能力显著下降。瞬态电压抑制二极管（TVS）作为电路保护核心器件，其性能直接决定整个电子系统的运行可靠性。与此同时，快充标准持续升级，通用PD快充最高电压已提升至48V，原有20V规格TVS无法满足适配需求，适配更高电压的传统TVS在浪涌测试中易发生损坏。
    2026-04-16 105次
  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
    • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础，能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 471次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
    • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，具有栅极驱动灵活性，可实现简化且高效的系统设计，从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势，提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 612次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
    • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 570次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
    • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装，基于最先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 799次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
    • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装，专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 698次
  • Infineon英飞凌 IST015N06NM5 产品介绍
    • 采用 sTOLL 封装的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60 V 的 RDS(on) 为 1.5 mOhm。它具有英飞凌著名的坚固工业封装质量水平优势，使其成为电池供电应用（包括电动和园艺工具以及电动滑板车）中各种性能的理想解决方案。
    2026-04-14 242次
  • Infineon英飞凌 IGT65R055D2 产品介绍
    • IGT65R055D2 GaN功率晶体管可提高高频运行时的效率。作为 CoolGaN ™ 650 V G5 系列的一部分，它符合最高质量标准，可实现具有卓越效率的高可靠性设计。 它采用底部冷却的 TOLL 封装，旨在实现各种工业应用中的最佳功率耗散。
    2026-04-14 48次
  • Infineon英飞凌 1EDI3031AS 产品介绍
    • EiceDRIVER ™ 1EDI3031AS 采用英飞凌的无芯变压器技术，实现跨电流隔离的双向信号传输。安全特性和 ISO 26262 合规性使其达到 ASIL D 分类。安全文件有助于 FMEDA 分析。紧凑的设计和功能集成节省空间和成本。引脚兼容的版本可方便在 SiC MOSFET 和 IGBT 之间切换，以满足不同的应用需求。
    2026-04-14 74次
  • Infineon英飞凌 XMC4800-E196F2048 AA 产品介绍
    • XMC4800器件是基于 Arm® Cortex-M4® 处理器内核的 XMC4000 系列微控制器的成员。当今节能嵌入式控制应用日益复杂，要求微控制器解决方案必须具有更高性能、具有 DSP 和 FPU 功能的 CPU 内核。 Arm® Cortex-M® 微控制器上首个 EtherCAT 节点，具有片上闪存和模拟/混合信号功能。
    2026-04-14 46次
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