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HCM3043 使用高性能 32 位微控制器(MCU),内嵌三相半桥栅极驱动器和线性稳压器。MCU 集成 12 位 1M sps 高精度 SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能 PWM 定时器、多 路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设,内建 AES、TRNG 等信息安全模块,具有高整合度、 高抗干扰、高可靠性的特点。MCU 内核采用 Cortex-M0+ 内核,配合成熟的 Keil & IAR 调试 开发软件,支持 C 语言及汇编语言,汇编指令。 内建 LDO 线性稳压器提供 5V 电压,适合为 MCU 和外部组件供电。HCM3043 产品 LDO 输 入电压为 5.5V ~ 15V/5.5V ~ 25V,Gate Driver 最大汲出/汲入电流为 1.0A,三相半桥栅极驱动 器内置了死区时间和上下管直通保护,非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在 较低的电源电压而对功率管产生损害,芯片内部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进 的高压 BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在高 dv/dt 噪声环境能稳定工作, 并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间,可以通过对 ENB 引 脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的待机模式。

HCM3043-QFN48 ARM Cortex-M0

  HCM3043-QFN48使用高性能 32 位微控制器(MCU),内嵌三相半桥栅极驱动器和线性稳压器。MCU 集成 12 位 1M sps 高精度 SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能 PWM 定时器、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设,内建 AES、TRNG 等信息安全模块,具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。MCU 内核采用 Cortex-M0+ 内核,配合成熟的 Keil & IAR 调试开发软件,支持 C 语言及汇编语言,汇编指令。

  内建 LDO 线性稳压器提供 5V 电压,适合为 MCU 和外部组件供电。HCM3043-QFN48产品 LDO 输入电压为 5.5V ~ 15V/5.5V ~ 25V,Gate Driver 最大汲出/汲入电流为 1.0A,三相半桥栅极驱动器内置了死区时间和上下管直通保护,非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害,芯片内部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。

  先进的高压 BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在高 dv/dt 噪声环境能稳定工作,并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间,可以通过对 ENB 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的待机模式。

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