GD25LQ256DYIGY (256M-bit)串行闪存支持标准SPI (Serial Peripheral Interface)，支持Dual/Quad SPI和QPI模式:Serial Clock, Chip Select, Serial Data I/O0 (SI)， I/O1 (SO)， I/O2 (WP#)， I/O3 (HOLD#)。双I/O数据传输速度为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。

　　GD25LQ128ESIG是全新的通用型32位高性能、低功耗微控制器系列产品，采用ARM® Cortex®-M3内核，适用于广泛的应用场景。GD25LQ128ESIG集成丰富的特性，可简化系统设计，并通过久经验证的技术和卓越创新为客户提供广范、超优性价比的MCU产品组合。GD25LQ128ESIG可提供基本型、主流型、互联型、超值型和增值型的不同组合。

　　GD25LQ128ESIG MCU采用32位ARM® Cortex®-M3内核，运行频率最高可达108MHz，Flash存取达到零等待状态，可实现最高效率，同时还提供高达3024KB的片上闪存和高达96KB的SRAM，支持连接到两条APB总线的增强型I/O口和各种片内外设。此系列MCU提供高达3个12-bit 1MSPS ADC和10个通用型16-bit定时器，1个PWM高级定时器，以及配备标准型和高级通信接口。

　　GD25LQ16C8IGR(16M-bit)串行闪存支持标准串行外围接口(Serial Peripheral Interface, SPI)，支持双/四路SPI:串行时钟，芯片选择，串行数据I/O0 (SI)， I/O1 (SO)， I/O2 (WP#)， I/O3 (HOLD#)。双I/O数据传输速度为208Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbits/s。

　　GD25LQ64CQIGR (64M-bit)串行闪存支持标准串行外设接口(Serial Peripheral Interface, SPI)，支持双/四路SPI和QPI模式:串行时钟，芯片选择，串行数据I/O0 (SI)， I/O1 (SO)， I/O2 (WP#)， I/O3 (HOLD#)。双I/O数据传输速度为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。

　　GD5F1GQ5REYIGR拥有SPI(串行外围接口)NAND闪存基于行业标准的NAND闪存存储核心，为嵌入式系统提供了超高成本效益的高密度非易失性存储解决方案。GD5F1GQ5REYIGR它是一个有吸引力的替代SPI-NOR和标准并行NAND闪存，具有先进的功能。

　　GD5F1GQ5REYIGR总引脚数为8，包括VCC和GND密度为1Gb优于SPI-NOR的写性能和每比特成本显著低于并行NAND成本这种低引脚数量的NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从一个密度到另一个密度始终保持相同的引脚。命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理NAND特定功能并添加了新特性。

　　GD25LQ256DWIGR (256M-bit)串行闪存支持标准SPI (Serial Peripheral Interface)，支持Dual/Quad SPI和QPI模式:Serial Clock, Chip Select, Serial Data I/O0 (SI)， I/O1 (SO)， I/O2 (WP#)， I/O3 (HOLD#)。双I/O数据传输速度为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。