1EBN1001AE是一款IGBT/MOSFET栅极驱动器放大器，专为10kW以上的汽车电机驱动而设计。1EBN1001AE基于高性能双极技术，旨在取代基于分立器件的缓冲级。由于其热优化的外露焊盘封装，1EBN1001AE能够驱动和吸收敢达15 A的峰值电流。这使得该设备适用于汽车应用中的大多数逆变器系统。除了基本的栅极驱动功能外，1EBN1001AE还支持高级功能，例如具有快速反应时间的有源箝位(带外部二极管)。也可以通过外部信号抑制有源箝位功能。为了简化有源短路(ASC)策略的实施，并使该设备适用于安全相关系统，达到ASIL D(根据IEC 61508和ISO 26262)，还实施了其他功能。1EBN1001AE可与Infineon的第二代栅极驱动器IC(如1EDI200xAS“EiceSIL”)最佳配合使用。

　　IR2104STRPBF是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高、低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲阶段，设计为最小的驱动器的交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，工作电压从10到600伏。